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HP, Hynix y Toshiba comienzan la batalla de las memorias ReRAM (Resistive RAM)

Hace poco solamente se anunciaron las especificaciones finales para las memorias DDR4, ahora se anuncia que otra tecnología de memorias que pretende revolucionar el mercado comenzará a producirse masivamente a finales de 2013 por HP e Hynix, se trata de productos basados en la tecnología de memristores o ReRAM (Resistive RAM)  y que es producto del trabajo conjunto entre ambas compañías anunciado en octubre de 2010.

Esta tecnología denominada ReRAM (Resistive Random Access Memory) se basa en “memristores” o “memory resistor” que describimos en un artículo del 2008, promete revolucionar el rendimiento de computadores, notebook, tablets, Smartphone y servidores.

Esta tecnología requiere menos energía para funcionar, se puede conservar la información incluso sin energía, es muchísimo más rápida que las actuales tecnologías de almacenamiento de estado sólido que encontramos en los SSD y que se basan en memorias NAND Flash. El memristor funciona mediante la manipulación de sólo unos cuantos átomos para producir un cambio dramático en la resistencia eléctrica y por lo tanto debe hacerse utilizando un proceso muy avanzado con tecnologías a nano-escala.

Se le ha descrito como la tecnología sucesora a la utilizada en las memorias NAND Flash y promete rendimientos exorbitantes respecto a lo que actualmente tenemos con las  tradicionales DRAM (Dynamic Random Access Memory), la tecnología de almacenamiento magnético de los discos duros y la tecnología de almacenamiento Flash de las actuales unidades SSD, ofreciendo velocidades de hasta 100 veces superior a la ofrecida actualmente.

Otra característica de la tecnología ReRAM es la durabilidad, mientras la mayoría de los SSD utiliza memorias NAND de 25nm, sus chips de memoria poseen entre 3.000 o 5.000  program/erase (P/E) cycles que se traduce en un tiempo de vida de 5 a 10 años. Por su parte un dispositivo basado en la tecnología de memristores puede tener más de 100.000 P/E cycles lo que lo hace 20 veces más durable que las actuales memorias NAND Flash

Actualmente varios fabricantes están creando su propia implementación de ReRAM, uno de ellos es Toshiba que también entra al juego y planea enviar las primeras muestras en el 2013 con una producción a plena capacidad en el 2014. HP-Hynix y Toshiba ya tienen chips funcionales de memorias ReRAM, pero por un asunto -al parecer- de mercado esperan lanzar en 1 a 2 años esta tecnología y productos basados en ella de 2-3 años, en parte para no canibalizar las tecnologías actuales.

In terms of commercialization, we will have something technologically viable by the end of next year. Our partner, Hynix, is a major producer of flash memory, and memristors will cannibalize its existing business by replacing some flash memory with a different technology. So the way we time the introduction of memristors turns out to be important.

One important aspect of memristors is that they are simple structures made from materials and processes already used in semiconductor foundries. This is critical, because we would face tremendous resistance if we asked the industry to change technologies. But they don’t have to change. If you know what you’re doing – and there’s a lot of intellectual property involved – literally any foundry could make memristors tomorrow.

Stan Williams (Hewlett-Packard senior fellow and director of the company’s cognitive systems laboratory).

 

[sp] [x-bit labs] & [brightsideofnews]

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