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HP se asocia con Hynix para impulsar ReRAM, basada en la tecnología de Memristores

Si ustedes nos llevan leyendo desde hace años recordarán que en abril de 2008 escribimos un articulo respecto al memristor” o “memory resistor”, tecnología impulsada por HP quien en ese entonces la anunciaba como una tecnología revolucionaría que podía cambiar la forma en la cual almacenábamos datos y la forma la que interactuamos con el computador, una tecnología inteligente que incluso podría darle al computador la capacidad de “recordar” emulando las funciones del cerebro humano, pero sin perdida de instancias o “recuerdos”,  bueno eso en lo metafórico…

…En lo netamente técnico esta nueva tecnología de memristores, se perfilaba como una potencial alternativa a los actuales transistores y la tecnología de almacenamiento flash, requieren menos energía para operar y pueden retener información incluso cuando se desconectan de la energía, también promete ser más rápida que las actuales tecnologías de almacenamiento en estado sólido.

A pesar de que el anuncio de HP fue en el 2008, la tecnología estaba en los laboratorios de HP desde 1998 y en el 2008 lograron un prototipo levemente funcional. De esa fecha hasta ahora no habíamos tenido mayores noticias respecto a esta tecnología, pero hoy 31 de Agosto, HP anuncia que se asociará con el fabricante coreano de semiconductores Hynix Semincoductor para impulsar el desarrollo y la comercialización de esta tecnología para los próximos productos de almacenamiento.

Así, ambas compañías trabajaran en una nueva forma de Memoria de acceso aleatorio resistiva o Resistive Random Access Memory (ReRAM), la cual se basa en la tecnología de “memristores” anunciada por HP en el 2008 y que entregará mayores capacidades de almacenamiento y menor consumo de energía respecto a las tradicionales memorias “Flash”, DRAM(Dynamic Random Access Memory) e incluso la tecnología de almacenamiento magnético de los discos duros y la tecnología de almacenamiento Flash de las actuales unidades SSD, ofreciendo velocidades de hasta 100 veces superior a la ofrecida actualmente.

HP indica que la tecnología ReRAM puede servir como un remplazo para la tecnología de almacenamiento Flash en teléfonos móviles, reproductores MP3, cámaras digitales, SSD y un sin fin de productos convirtiéndose en una tecnología o medio de almacenamiento universal.

Si todo va bien, podríamos ver productos que utilicen esta tecnología dentro de 3 años y tal como en el 2008, por ahora nuevamente toca esperar que se siga avanzando en el desarrollo de la tecnología de memristores, pero al menos es interesante saber, que el proyecto no piensa quedarse olvidada en los laboratorios y ve una aplicación comercial en pocos años más.  Claro que la tecnología basada en memristores no estará sola, pues la tecnología PRAM (Phase-change RAM) en la cual trabajan compañias como Samsung, Intel e IBM, también se perfila como sucesora de las tecnología de almacenamiento Flash.

Para finalizar esta nota, debemos mencionar que la tecnología de memristores, no es algo nuevo o que haya inventado HP, ya que ésta fue postulada por primera vez en 1971 por el profesor Leon Chua de la Universidad de Berkley como el cuarto elemento básico de un circuito.

Hynix Semiconductor Inc. (‘Hynix’, www.hynix.com) today announced that it has entered into a joint development agreement with HP to develop memristor technology in ReRAM (Resistive Random Access Memory), a next generation memory product.

The two companies will jointly develop new materials and process integration to deliver ReRAM to market by transferring the innovative memristor technology from research to commercial development. Hynix will implement the technology in its R&D fab. The ReRAM is a product that holds potential to replace the Flash memory currently used in mobile phones and MP3 players and to serve as a universal storage medium… más

[Hynix] [HP]

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