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Toshiba anuncia chips SLC Nand Flash a 43nm

Excelente! y digo excelente por que personalmente se lo que significa este logro, si no has leído respecto a memorias SLC y MLC, les recomiendo que lo hagan haciendo clic justamente aquí.

Ahora bien, en la industria de las memorias NAND Flash, existen dos tipos de chips que se comercializan entre la industria computacional y la de electrónica de consumo, estos son las memorias NAND Flash del tipo MLC (Multi-Level-Cell) y SLC (Single-Level-Cell) que son utilizados en tarjetas de memoria, pendrive, Smartphone, unidades SSD, reproductores multimedia entre otros dispositivos basados en memorias Flash. La diferencia entre ambos chips está principalmente en la velocidad, densidad y costos entre una y otra, mientras las memorias MLC son más económicas de producir, permiten mayor densidad, a su vez carecen de las altas tasas de escritura y lectura que alcanzan las memorias SLC (Single Level Cell) que son un poco más caras de producir y comercializar que las MLC.

Actualmente la industria electrónica y del almacenamiento se había movido casi mayoritariamente a usar memorias MLC en sus productos, esto por un asunto de costos y disponibilidad, puesto que grandes productores de memorias como Samsung han volcado su capacidad productiva mayoritariamente en fabricar chips MLC en lugar de SLC, por un asunto de costos, provocando una escasez de chips SLC para la industria, razón por la cual Corsair Memory por ejemplo, había descontinuado su línea de Pendrive de alto rendimiento Corsair Voyager GT (que usaban memorias SLC) a modelos de mayor densidad pero con chip MLC de menor rendimiento en lo que respecta a tasas de lectura y escritura, sobre todo escritura que es donde más se nota la diferencia entre chips MLC y SLC. La otra ventaja de los chips SLC son los ciclos de lectura y escritura que soportan durante su vida útil, que las hacen casi perpetuas para almacenar datos de manera confiable.

Ahora bien, entrando en la noticia que nos convoca, tenemos excelentes buenas nuevas desde Toshiba (considerado el inventor de las memorias NAND Flash) ya que la compañía ha anunciado el desarrollo exitoso de chips de memorias de alto rendimiento NAND Flash bajo un avanzado proceso de manufactura en 43nm, estos nuevos chips del tipo Single-Level Cell (SLC), vendrán en densidades desde 512Mbit (64MB) a 64 Gbits (8GB), con varias capacidades intermedias, lo que le hace bastante bien al mercado de productos basados en este tipo de memorias.

El paso a los 43nm, también representa un avance, pues representa el punto clave para poder ofrecer chips de mayor densidad, menor consumo, mayor rendimiento, mayor durabilidad y a su vez reducir los costos de producción para ofrecer a la industria chips más baratos debido a la gran cantidad de chips que se puedan obtener por wafer de silicio. Los actuales procesos de manufactura de Toshiba para memorias SLC eran de 56 y 70nm, pero con este avance se podrán ofrecer chips 2.5 veces más rápidos que sus contrapartes MLC.

La producción en masa de estos chips comenzara en el primer y segundo trimestre del 2009, donde se pondrán a disposición de la industria electrónica y de almacenamiento para futuros productos como Pendrive y dispositivos de almacenamiento de alto rendimiento.

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