Empresas chinas de DRAM pretenden robar propiedad intelectual de Samsung y SK Hynix

Empresas chinas de DRAM pretenden robar propiedad intelectual de Samsung y SK Hynix
  A Micron, también se le suman los gigantes coreanos de DRAM Samsung y SK Hynix, como las últimas víctimas de espionaje industrial a gran escala por parte de los fabricantes chinos de DRAM, estos pretendiendo robar propiedad intelectual (IP) vital para el desarrollo de DRAM, esto según el Korea… Leer Mas

Elpida desarrolla los primeros chips DDR3 de 25nm

Elpida desarrolla los primeros chips DDR3 de 25nm
Así como la industria de memorias NAND-Flash avanza a procesos de 20nm y 19nm, el mercado de las memorias SDRAM también avanza a procesos de manufactura más avanzados, es así como Elpida anuncia que ya tiene lista la pre-producción de las primeras memorias DDR3 SDRAM de 25nm, las cuales comenzaran… Leer Mas

Samsung desarrolla los primeros chips DDR3 de 30nm

Mientras hoy se hizo el anuncio oficial de Intel y Micron con los primeros chips de memorias NAND-Flash de 25nm, Samsung Electronics no ha querido ser menos, pero en el campo de las memorias DRAM (memorias RAM) anunciando los primeros chips DDR3 de 2Gb (gigabits) fabricados con tecnología de proceso… Leer Mas