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Micron desarrolla “Hybrid Memory Cube” technology

Micron ha anunciado recientemente una nueva tecnología de memorias (si otra más entre las tantas que se han anunciado) que pretende ser un importante desarrollo en el campo de las memorias respecto a las actuales tecnologías y aunque no hay muchos datos técnicos al respecto Micron señala que su tecnología HMC (Hybrid Memory Cube) puede proporcionar una ventaja sustancia en tres aspectos claves: Ancho de Banda, Consumo y dimensiones.

Esto no es todo ya que la tecnología Hybrid Memory Cube, puede proporcionar hasta  20 veces el ancho de banda de los actuales módulos DRAM (dynamic random access memory) DDR3, además es exponencialmente más eficiente en cuanto a consumo utilizando un decima parte de la energía por bit que utilizan las memorias actuales, para finalizar este la tecnología HMC provee una reducción considerable en el tamaño, ya que su arquitectura apilada (stacked) utiliza un 90% menos de espacio que los chip DRIMM actuales.

Uno de los elementos principales para brindar un gran ancho de banda es el controlador de memoria que ha sido agregado como una capa lógica en la estructura del chip, el cual puede solucionar los problemas de cuello de botella de las actuales implementaciones convencionales.

Esta nueva tecnología está programada para hacer su debut en el campo de la computación de alto rendimiento entre el 2015 y 2016 cuando entre al mercado de consumo general, aunque para el mercado corporativo lo estará entre el 2012-2013.

Igualmente micrón ha dicho que se encuentra trabajando en la próxima generación de tecnologías de memoria como las DDR4, aunque no menciono si está relacionada con esta tecnología.

[Penlau]

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