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Z-RAM, La Tecnología De Memorias Se Acerca Un Paso Más

El gran problema de Computación, es que el negocio se centra en el constante cambio tecnológico, el cual obliga a los usuarios a tener que invertir constantemente en nuevo Hardware. Así pues, comúnmente es necesario, para mantenerse al tope de línea, actualizar el procesador de un PC, su tarjeta de video, y por supuesto las memorias, todos componentes esenciales para dar vida a nuestros sistemas, sea para el uso que sea. Y es, en relación a este tema, que se centra la siguiente noticia.

Innovative Silicon (“ISi“), anunció que ha licenciado su tecnología Z-RAM a Hynix Semiconductor, dejando entrever la posibilidad de una nueva tecnología de memorias para sistemas, la cual podría estar disponible en el año 2010. Esta tecnología, representaría el mayor cambio de la Industria DRAM, visto desde los tiempos del CMOS.

ISi indicó que trabajará codo a codo con Hynix, durante los próximos dos años, para desarrollar memoria comerciales a grandes volúmenes, las cuales sean compatibles con los sockets de memorias actuales DRAM. La investigación y el desarrollo del tema, será llevada a cabo por ISi en Lausanne, Suiza, y en Santa Clara, California, como también en los laboratorios de Hynix en Corea. No se ha entregado un plan de trabajo específico para saber cuando los productos comerciales estarán disponibles.

Jeff Lewis, Vicepresidente de Marketing de ISi, y Mark-Eric Jones, CEO de esta Compañía, indicaron que el tiempo requerido entre el licenciamiento y generación de productos, es de alrededor de 3 años. Jones, también indicó que tiene buenos antecedentes que su tecnología, en relación a memorias, ha generado interés en la Industria DRAM. Incluso, de acuerdo a Hynix, ellos estuvieron evaluando la Z-RAM por aproximadamente un año antes de licenciarla.

ISi explicó que las ventajas de la Z-RAM, por sobre la tradicional DRAM, se centran en el uso de la configuración “bitcell” (“celdabit“), la cual no requiere de capacitores. Es cerca de dos veces más densa que la DRAM y cinco veces más densa que la SRAM. Comparada con la DRAM, por lo dicho por sus creadores, será más rápida y consumirá casi la misma cantidad de energía, ocupando además menor tamaño. El diseño de ISi, también permite llevar a cabo optimizaciones enfocadas hacia eficiencias en velocidad y consumo energético. Lewis destacó  que ISi actualmente está utilizando memorias con frecuencias operacionales de alrededor de 500 MHz. Si bien, este valor es notablemente más lento que muchas aplicaciones SRAM de hoy en día, las ventajas son, considerando un tama

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