SK hynix anunció que su módulo DDR5 RDIMM de 256 GB, basado en chips de 32 Gb, obtuvo la certificación Intel Data Center Certified, convirtiéndose en el primer módulo de memoria de esta capacidad en alcanzar este estándar. Más allá del hito técnico, la certificación destaca por su impacto directo en eficiencia energética, con una reducción de hasta 18% en consumo, lo que podría traducirse en millones de dólares en ahorro para centros de datos hyperscale.
En entornos de servidores de IA y nube, el consumo no solo está dominado por la HBM de los aceleradores, sino también por grandes volúmenes de DDR5 conectados a procesadores x86, como Intel Xeon 6. Un módulo DDR5 de alta capacidad puede consumir entre 15W y 25W, por lo que un subsistema de memoria de 12 canales puede llegar a 180W–300W, comparable al consumo del propio CPU.
La clave del nuevo módulo está en el uso de chips 32 Gb fabricados en el proceso 1b de SK hynix (quinta generación de DRAM clase 10 nm), que consumen menos energía que configuraciones anteriores basadas en dos chips de 16 Gb del nodo 1a. Este avance permite una reducción aproximada de 32,4W por socket en sistemas Xeon 6, un ahorro significativo cuando se escala a decenas de miles de servidores.
Según la compañía, estos DDR5 RDIMM de 256 GB ofrecen menor consumo, alta capacidad y rendimiento estable, una combinación especialmente atractiva para implementaciones de IA y cloud computing que buscan optimizar TCO (costo total de propiedad) sin sacrificar desempeño. La obtención del sello Intel Data Center Certified refuerza la adopción en plataformas Intel y acelera su entrada al mercado.
Fuente: SK Hynix
