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Samsung introduce chips NAND Flash de 20nm con tecnología Toggle DDR 2.0

Con los dispositivos portátiles como smartphone, tablets, cámaras digitales, reproductores multimedia y dispositivos de almacenamiento como los SSD, las memorias NAND Flash tienen un importante rol actualmente en un mercado de cada vez más alta demanda. Es por eso que los principales productores avanzan mejorando este tipo de memorias y Samsung es uno de ellos quien introduce sus nuevos chips de alta velocidad NAND Flash de 64Gb  con tecnología Toggle DDR 2.0.

Estos chips que ya están siendo distribuidos en el mercado están fabricados utilizando tecnología de 20nm (nanómetros), vienen en un tamaño de 64Gb (8GB) e incorporan la tecnología Toggle DDR 2.0 (segunda generación), la cual implementa una especie de modo de doble canal (tal como en las memorias RAM) para incrementar las velocidades de transferencia de los chips, tecnología que por cierto ya habíamos anunciado –en esta nota–  que adoptaría Samsung y Toshiba.

Equipadas con la tecnología toggle DDR (Double Data Rate) 2.0 , los nuevos chips MLC (multi-level-cell) de 64Gb (8GB), pueden transferir datos hasta 400 Mbps, lo cual incrementa por 10 veces la tasa de transferencia de 40Mbps de chips Nand Flash que utilizan Single Data Rate (SDR) y además incrementa hasta por 3 veces la velocidad de los chips que implementan tecnología Toggle DDR 1.0, los cuales alcanzan los 133Mbps y que la misma Samsung introdujo en el 2009 con chips de 32Gb (4GB).

[Samsung]

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