Samsung el primero en iniciar producción NAND Flash en 20nm

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Samsung Electronics Corporation el principal productor de memorias a nivel global, se adelanta nuevamente a la competencia anunciado la producción de sus primeros chips de memoria NAND Flash fabricados con un avanzado proceso de manufactura de 20nm, dando un salto tremendo desde la producción a 30nm iniciada hace poco más de un año atrás (marzo de 2009).

Estas memorias están destinadas a tarjetas de memorias Secure Digital (SD), como también a soluciones de memoria integradas. Vienen  en tamaños de 32 Gigabit (Gb) y diseño MLC (Multi-Level-Cell) y se pueden integrar también en un sinfín de aparatos, como por ejemplo, tarjetas de memoria, cámaras digitales, celulares y tarjetas de memoria de alto rendimiento.

Según Samsung, el fabricar con un proceso de 20 nanómetros, incrementa el rendimiento productivo hasta en un 50%, comparado con los actuales chips de 30nm, por otra parte las velocidades de escritura de las tarjetas SD basadas en estos chips son de un 30% más rápida respecto a los chips de 30nm (20MB/s de lectura y 10MB/s de escritura). La producción a 20nm también posibilita reducir los costos de producción y el precio de los productos finales.

Actualmente Samsung se encuentra despachando muestras de tarjeas SD basadas en estos chips de memorias a 20nm a sus socios con capacidades que van desde los 4GB hasta los 64GB, la producción a 20nm se expandirá en los últimos meses de este 2010.

[Samsung]

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