A pesar de que en ediciones anteriores de su Intel Developer Forum (IDF), Intel ya había mostrado chips funcionales con proceso de fabricación a 32nm para propósitos experimentales y demostrativos, la compañía sigue afinando este proceso para su próxima generación de procesadores, que vendrá dentro de dos años mas con su arquitectura WestMere (tic) y Sandy Bridge (tock), es por eso que según informa eetimes, Intel en la próxima IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) evento anual que se llevará a cabo en San Francisco (EEUU) entre los días 15 y 17 de Diciembre, mostrará sus nuevos avances con la tecnología de proceso a 32nm para sus próximos procesadores de alto rendimiento.
De acuerdo a la información de IEDM, Intel para la ocasión ha fabricado un chip de memoria funcional SRAM de 291Mbit con un tamaño de celdas de 0.171 micron2 y fabricado a 32nm, este dispositivo tiene cerca de 2 millones de transistores, operando a una increíble velocidad de 3.8Ghz y tan solo 1.1v.
En el mismo contexto eetimes comenta que Intel usará tecnología “high-k/metal gate” de segunda generación (la primera fue introducida con penryn) que trae importantes mejoras respecto a la primear generación de esta tecnología que Intel implemento en sus procesadores en reemplazo de la tecnología SOI (Silicon On Insulator).
Estos experimentos de Intel son el camino y los cimientos de desarrollo de sus próximos procesos de fabricación, los cuales incorporan optimizaciones a nivel de consumo y rendimiento para sus futuros procesadores.