Intel Foundry aprovechó el escenario del VLSI Symposium 2026 para actualizar su hoja de ruta tecnológica y presentar nuevos avances en procesos de fabricación, destacando que Intel 18A-P, la primera evolución de su nodo Intel 18A, ya entró en fase de risk production, cumpliendo los plazos anunciados previamente a clientes y socios.
La compañía señaló que Intel 18A-P incorpora mejoras en transistores, interconexiones y optimización de diseño que permiten ofrecer hasta un 9% más de rendimiento al mismo consumo energético o reducir el consumo en hasta un 18% manteniendo el mismo desempeño frente al proceso Intel 18A.
Más rendimiento, mejor eficiencia y compatibilidad total
Entre las novedades presentadas destaca Power Boost, una nueva tecnología de transistores de baja resistencia diseñada para aumentar la frecuencia de operación y mejorar la entrega de corriente.
Intel también informó mejoras térmicas de entre 20% y 40%, reducciones de hasta 30% en la resistencia de las vías de interconexión (vias) y nuevas opciones de transistores orientadas tanto a eficiencia energética como a alto rendimiento.
Uno de los aspectos más relevantes para los clientes de fundición es que Intel 18A-P mantiene compatibilidad completa con las reglas de diseño de Intel 18A, permitiendo reutilizar propiedad intelectual (IP) y flujos de diseño ya existentes sin necesidad de rediseños importantes.
RibbonFET y PowerVia siguen mostrando beneficios
Durante el evento, Intel también compartió nuevos datos sobre las ventajas de sus tecnologías RibbonFET y PowerVia, pilares fundamentales de la estrategia de fabricación avanzada de la compañía.
Según Intel, la combinación de transistores Gate-All-Around (GAA) y alimentación eléctrica por la parte posterior del chip permite reducir hasta un 11% el área utilizada, disminuir hasta 10 veces las variaciones de voltaje y lograr mejoras de frecuencia de hasta un 6%, o reducciones superiores al 15% en consumo dinámico.
Además, pruebas realizadas sobre núcleos de CPU fabricados con estas tecnologías mostraron mejoras cercanas al 30% en frecuencia de operación a bajos voltajes, contribuyendo a una mayor eficiencia energética.
Mirando más allá de Intel 18A
Intel también presentó avances de investigación orientados a las próximas generaciones de semiconductores.
Entre ellos destacan los trabajos en CFET (Complementary FET), una arquitectura que apila transistores NMOS y PMOS verticalmente para continuar escalando el rendimiento más allá de los diseños Gate-All-Around actuales.
La compañía también mostró avances en la integración monolítica de GaN y silicio para aplicaciones de gestión energética, además de nuevas tecnologías de interconexión basadas en rutenio, capaces de reducir la capacitancia hasta en un 35% frente a las soluciones tradicionales de cobre.
