La gran gracia, o desgracia, desde el punto de vista del costo económico que implica para los usuarios, es lo cambiante, tecnológicamente hablando, que es el sector de la Computación. En efecto, en todas sus ramas, constantemente se producen avances, los cuales conducen a nuevos productos que a su vez, obviamente y generalmente, obsoletizan a los existentes. Es por ello, que anualmente se tienen cambios en procesadores, tarjetas de video, memorias, etc., y, es en relación a estas últimas, que se centra la siguiente noticia.
IBM y TDK Corporation, acaban de anunciar una alianza para investigar y desarrollar un programa de trabajo que conduzca a MRAM's de alta capacidad. Una memoria MRAM, del inglés Magnetic Random Access Memory («Memoria de Acceso Aleatorio Magnético«), utiliza la tecnología denominada «Efecto de Transferencia de Momentum de Giro» («Spin Momentum Transfer Effect«), el cual, según los expertos, permite una «celda» de memoria mucho más compacta que lo que es posible con el uso de tecnologías actuales. Por otro lado, el término «Magnético» implica que estas memorias usan magnetismo en vez de cargas eléctricas para almacenar bits de información, lo cual significa que pueden retener esa información incluso cuando no hay energía eléctrica presente. El primer chip MRAM de 16-megabit, producido el año 2004 y producto de una alianza entre Infineon Technologies y la misma IBM, marcó un record en términos de almacenamiento de información de alta densidad.
El Efecto de Transferencia de Momentum de Giro, permite a la MRAM reducir significativamente el tamaño de una celda y por ello, aumentar su capacidad, de manera económicamente viable, manteniendo además un bajo consumo, resistencia y las ventajas de «no-volatilidad«. Todo lo anterior, convierte a las MRAM's en una solución potencialmente preferida para aplicaciones portátiles e industriales.
Por otro lado, y reforzando lo indicado en el párrafo anterior, una MRAM ofrece significativas ventajas sobre las tecnologías de la competencia, incluyendo menos uso energético, alta velocidad, ciclos de lectura y escritura ilimitados, y «no-volatilidad» inherente. Hasta el momento, la presencia de este tipo de memorias en el mercado, ha sido imposible debido a la inhabilidad de aumentar la capacidad de manera económicamente viable.
De acuerdo al Dr. T.C. Chen, Vicepresidente de Ciencia y Tecnología de Investigaciones IBM («Science and Technology, IBM Research«),
«Esta iniciativa de colaboración, refuerza el compromiso de IBM de explorar nuevos fenómenos para aplicaciones de memorias. El proyecto se enfocará en crear y demostrar materiales magnéticos avanzados en diseños de chips de memorias.»
Por su parte, Mr. Minoru Takahashi, Oficial Técnico en Jefe («Chief Technical Officer«) de TDK Corporation, comentó,
«Esta investigación y desarrollo en conjunto, ampliará la aplicación de materiales magnéticos, los cuales han sido el núcleo tecnológico de TDK desde el año 1935.»
Las Compañías pretender investigar tecnologías de memoria y dispositivos magnéticos para crear un circuito integrado MRAM de alta densidad y capacidad, que pueda ser utilizado como una memoria propiamente tal o integrado en otras soluciones.