La explosiva expansión de la inteligencia artificial continúa ejerciendo una enorme presión sobre la industria de semiconductores. Según nuevos reportes desde Asia, TSMC sigue enfrentando dificultades para satisfacer la demanda de sus procesos de fabricación de 3 nanómetros, incluso después de aumentar su capacidad de producción mensual hasta un récord de entre 160.000 y 175.000 obleas durante el segundo trimestre de 2026.
El nodo de 3 nm se ha convertido en una de las tecnologías más demandadas por las empresas de IA debido a su equilibrio entre rendimiento, eficiencia energética y costos de producción. Sin embargo, el liderazgo tecnológico de TSMC en este segmento ha provocado que gran parte de la industria dependa de su capacidad de fabricación.
La compañía taiwanesa ha reforzado durante los últimos años sus inversiones en nuevas plantas y tecnologías avanzadas de empaquetado como CoWoS y SoIC, fundamentales para la producción de aceleradores de IA de última generación. Aun así, la creciente demanda de clientes vinculados al desarrollo de modelos de inteligencia artificial continúa superando la oferta disponible.
Esta situación también podría anticipar un escenario similar para la próxima generación de procesos de 2 nanómetros, cuya adopción comenzará a acelerarse durante los próximos años. Aunque las tecnologías más avanzadas prometen mayores niveles de rendimiento y eficiencia, el costo de migración sigue siendo elevado para muchas compañías dedicadas a la inteligencia artificial, por lo que el nodo de 3 nm continuará siendo una pieza clave del mercado durante bastante tiempo.
Para responder a la demanda futura, TSMC tendría contempladas inversiones cercanas a los US$28.600 millones destinadas a la construcción de nuevas instalaciones de producción. El objetivo sería acelerar la expansión de su capacidad en 2 nm y mantener el liderazgo frente al creciente volumen de pedidos provenientes de la industria de IA.
Mientras tanto, las alternativas siguen siendo limitadas. Aunque Samsung Electronics ya dispone de tecnología de fabricación de 2 nm basada en arquitectura GAA, los reportes indican que sus niveles de rendimiento aún no alcanzan la escala de producción de TSMC.
Fuente: Comercial Times
