La compañía manufacturera de semiconductores TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co), revelo esta semana que comenzará con la producción en masa de nodos de 20nm (HKMG) a inicios del próximo año y que posteriormente, un año más tarde (2015) iniciará la producción en masa de nodos a 16nm con tecnología de transistores FinFET.
TSMC es el productor taiwanés más grande de semiconductores a pedido de la industria, entre sus clientes tenemos empresas como la misma AMD, NVIDIA y la industria de la electrónica en general, por lo tanto, sus avances tecnológicos van de la mano con el resto de la industria.
TSMC ya ha realizado pruebas internas con chips a 20nm HKMG (High-K Metal Gate) con sus respectivos procesos de tape-out o proceso de diseño final de un chip o circuito integrado. En este tiempo TSMC ha estado mejorando los “yields” o chips funcionales que salen de cada oblea de silicio (wafer), esto con el fin de asegurar un buen volumen de producción para el momento de producción en masa.
“We will begin volume production of 20nms in the first quarter 2014. That’s 90 days from now. 16nm will follow 20nm in one year. We view both 20nm and 16nm as virtually one node. Specifically on 20nm we have received five product tape-outs and scheduled more than 30 tape-outs in this year and next year from mobile computing, CPU and PLD [programmable logic device] segment. dijo Morris Chang, Director Ejecutivo y Presidente de TSMC, durante una conferencia con analistas financieros.
TSMC asegura que los chips funcionales o yields de su proceso de manufactura de 20nm van bien encaminados, incluso mejor que el proceso anterior de 28nm, que recordemos tuvo problemas en los volúmenes de producción debido a una baja tasa de chips funcionales por oblea de silicio. TSMC también espera que los ingresos por su proceso de manufactura de 20nm sean mayores a los ingresos que obtuvo mediante su tecnología de 28nm.
Así mismo como TSMC anuncia la producción en masa de chips de 28nm para inicios de 2014, también lo hará con el siguiente proceso de manufactura, los 16nm con tecnología de transistores FinFET (equivalente a la tecnología Tri-Gate o 3D transistors de Intel), lo cual ocurrirá en el primer trimestre de 2015.
“On 16 FinFET, technological development is progressing well. Risk production is on schedule by the end of this year. More than 25 customer product tape-outs are planned in 2014 including mobile computing, CPU, GPU, PLD and networking applications. We are on track to begin volume production within one year of 20nm.