Samsung Electronic Corp, en el marco de su sexta conferencia de prensa en Seoul, ha anunciado algunas novedades en el campo de las memorias Flash, a continuación algunas de ellas:
NAND Flash a 40nm
Samgung Electronic Corp Ltd, el líder mundial en el desarrollo de chips de memorias, ha comunicado mediante nota de prensa fechada 11 de septiembre, que ha desarrollado el primer chip de memoria NAND Flash a 40nm (nanómetros), los nuevos chips de 32 Gigabit (Gb) -No confundir con GB Gigabyte-, están desarrollados con lo que Samsung ha denominado CFT (Charge Trap Flash) architecture, la cual apunta básicamente en incrementar la eficiencia en la producción y a la vez mejorar la performance o rendimiento de los chips.
Basada en una estructura simple, que permite una mayor escalabilidad en lo que a proceso de fabricación se refiere, la nueva memoria Nand Flash de Samsung, puede escalar a procesos de fabricación menores desde los 40nm a 30nm e incluso 20nm.
Este tipo de memoria que anuncia Samsung podrá usarse en tarjetas de memoria con una densidad de 64GB, la cuales según estimaciones de Samsumg, podrán almacenar 64 horas de películas en calidad DVD (40 películas) y 16.000 archivos en formato MP3 (cerca de 1.340 horas de música).
Estas memoria están basadas en la estructura TANOS, basadas en materiales como tantalum (metal), oxido de aluminio de alta densidad, nitride, oxido y silicio, lo cual sirve de base para la fabricación de estos chip de 40nm.
PRAM (Phase-change Random Access Memory)
Al mismo tiempo que Samsumg Electronics anuncia sus memorias Flash @ 40nm, también ha informado respecto al desarrollo de la próxima generación de memorias tendientes a reemplazar a los chip de memoria NOR Flash de Alta densidad, esto debido a que Samsung ya se encuentra trabajando con prototipos de memorias de 512 Mb de tipo PRAM (Phase-change Random Access Memory) algo así como «Memoria de Acceso Aleatorio de Cambio de Fase».
Las propiedades de este tipo de memoria, es que, al contrario de lo que su nombre indica, no son volátiles y tal cual las memorias Flash, sus datos se pueden escribir y rescribir, sin eliminar los datos previamente grabados, pero la gracias respecto a la memoria Flash, es que la memoria PRAM sería 30 veces más rápida que la memoria Flash actual que desarrolla Samsung, sería más barata también de producir y su vida útil sería 10 veces mayor que la memoria Flash, a raíz de estas ventajas Samsung la ha apodado «Perfect RAM», pero es sólo un detalle jocoso ya que el nombre técnico es PRAM (Phase-change Random Access Memory.
Esta memoria utilizará un tamaño de celdas de 0.467 micras cuadradas (la mitad de tamaño de las actuales memorias NOR Flash) y utilizará diodos verticales en una estructura tridimensional, lo anterior significa que requerirán un 20% menos de etapas de proceso que la memoria NOR Flash.
-Esto de diodos verticales, me hizo venir a la mente la grabación perpendicular, aunque son temas distintos-.
Según estimaciones, ésta memoria podría debutar en el mercado en el 2008 y podría ser usada en dispositivos portátiles o Handsets partiendo con una capacidad base de 512 Mb.