AMD prepara su arsenal para el 2009, la tendencias y novedades la marcan por que todos (a excepción de un modelo) vendrán en un empaque para socket AM3, el uso por primera vez para memorias DDR3, y el paso de AMD a un proceso de fabricación de además del paso a un proceso de fabricación de 45nm, lo que le permitirá a AMD igualar a Intel en procesos de fabricación.
En la parte mas alta tendremos a núcleo quad-core Deneb FX con memoria cache L3 compartida, soporte DDR3/DDR2 y socket AM3 solamente, luego tenemos al Deneb normal con el mismo soporte DDR2/DDR3 pero para socket AM2+ y AM3, cierra la familia de cuatro núcleos el core Propus sin cache L3 y con soporte DDR2/DDR3 y socket AM3.
La familia triple-núcleo, vendrá con el core Heka también con cache L3 compartido, soporte DDR2/DDR3 y socket AM3, en este mismo segmento triple-núcleo también tendremos a Rana con las mimas tecnologías que Heka pero sin memoria cache L3 compartida.
Finalmente el Roadmap nos revela a Regor para la familia de procesadores de doble núcleo, este contara con cache L2 de 1MB por core, en lugar de L3, soportara también memorias DDR2/DDR3.
Todos estos procesadores soportaran HyperTransport 3.0, aunque su frecuencia y correspondiente ancho de banda variara según modelo.
6 Comment
Siempre AMD le pateo el trasero a intel con nuevas cosas … el hecho q Intel haya sacado el i7 con significa q pateadura quede ahi nomas…pues.. la pateadura continua…
Diseño Multi-Puerta Único
El nuevo diseño de transistor de AMD usa tres puertas en lugar de una como los transistores de hoy e incorpora innovaciones que permiten una continua escalabilidad de puerta de transistor bajando más allá de 20 nm, al tiempo que provee mayor velocidad y menos fuga de electricidad. Además, el transistor de AMD no depende del uso del supuesto material dieléctrico de puerta “high-k”, el cual puede acarrear efectos negativos al desempeño del transistor.
“Nos hemos acercado de manera estructural utilizando materiales convencionales de nuevas maneras para brindar una solución de 20 nm de dimensión de puerta comprobada. Esta es la clase de innovación que se requiere para conducir los avances tecnológicos más allá en la próxima década”, señaló Lin.
AMD incluyó las siguientes tecnologías de investigación para su nuevo diseño multi-puerta:
· SOI Completamente Vaciado (FDSOI): La próxima generación de tecnología SOI que incrementa el desempeño y los beneficios de ahorro de energía de la tecnología SOI actual.
· Puertas de metal: Puertas hechas de níquel-silicio en lugar de Poli silicón como hoy en día, que busca mejorar el flujo eléctrico mientras se reduce el derrame no deseado.
· Canal forzado localmente: Una manera revolucionaría de combinar materiales avanzados en una geometría que “fuerza” los átomos dentro del recorrido eléctrico del transistor ayudando el flujo de electricidad.
El método de AMD dio como fruto transistores que han demostrado desempeño récord y una significante reducción de derrame de corriente. Para más detalles técnicos de la investigación multi-puertas que AMD presentó en la conferencia visite http://www.amd.com/IEDM03_triple.
Extendiendo los Beneficios de SOI
La investigación de AMD de nueva generación de SOI se construye sobre los éxitos actuales de la compañía usando SOI en un ambiente de manufactura de alto volumen en AMD Fab 30. AMD detalló acerca de esto también en IEDM, brindando información de las tecnologías SOI usadas en los procesadores AMD64 para incrementar desempeño del producto mientras se reducen requerimientos de energía.
“SOI es un contribuyente clave del procesador AMD Opteron™ brindando desempeño líder en 32 y 64 bits, reduciendo el consumo de energía”, dijo Sander. “Menos energía es igual a menos calor. Para los trabajadores de TI una reducción calórica puede ser un factor principal en la reducción del costo total de propiedad y ayuda a garantizar la confiabilidad.”
AMD también dio a conocer información de su liderazgo introduciendo materiales dieléctricos para mejor desempeño de circuito conocidos como “low-k”. Estos materiales low-k son usados para insular las líneas interconectables de cobre que conducen señales eléctricas a través del chip y reducen la energía que se necesita para propagar estas señales. AMD fue líder en introducir materiales low-k en un ambiente manufacturero de gran volumen empezando con su proceso de 130 nm en AMD Fab 30.
YA VIERON EL NUEVO INTEL I7 MIREN SUS PROPIEDADES , TRATEMOS DE ENCONTRAL ALGO SUPERIOR EN AMD , SOY FANATICO DE AMD PERO EL I7 ES ALGO REALMENTE FUERTE , VAMOS A VERS SI AMD SOBREPASARA A INTEL COMO LO HA VENIDO HACIENDO EN TODOS ESTOS AÑOS ,
PREDATOR30 A DE SER UN FANBOY DE INTEL SUX POR ESO DICE ESO EL MUY LENTIUM… LLEGANDO LA SERIE DE GAMA ULTRAALTA (DENEB FX) COMENSARA A PONERSE MORADO EL TRASERO DE INTEL DE TANTA PATADA JAJAJAJAJA
habra que ver las frecuencias y como andan estos proces, que solo son un refresco de lo que hay en el mercado por lo que se puede ver.
mmm bkm
jajaja XD
No veo nada q me entusiasme la verdad como revolucion