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Samsung NAND Flash 2GB @ 60nm

 

Samsung anuncia sus chips de memoria One Nand Flash de 60nm y 2GB de capacidad, esta memoria tiene una velocidad de lectura sostenida de 108MB/s con una velocidad de escritura de 17MB/s.

Hace algún tiempo atrás, mas específicamente a inicios el mes de abril ya te habíamos informado respecto a que Samsung había anunciado la producción de Chips Nand Flash a 70nm, pero vemos que Samsung ha decidido aplicar proceso de manufactura a 60nm.

 

NAND Operating Speeds

 

NOR Flash

NAND Flash

70nm
OneNAND

60nm
OneNAND

Sustained Read

256MB/sec

27MB/sec

108MB/sec

108MB/sec

Sustained Write

0.5MB/sec

13MB/sec

9.3MB/sec

17MB/sec

 

Este salto es para mejorar aún mas la velocidad de escritura de estos chips, pues a 70nm estos tenían una velocidad de lectura de 9.3 MB/s y con el paso a los 60nm este valor se incrementa a los 17MB/s, en tanto que la velocidad de lectura se mantiene en los 108MB/s, la otra ventaja de pasar de los 60nm en desmedro de los 70nm es que la densidad de los chips también se incrementa, pues los chip fabricados a 70nm poseían una densidad máxima de 1GB, estos nuevos chips a 60nm alcanzan una densidad de datos de 2GB. Entre las aplicaciones de este tipo de memoria tenemos a los discos SSD (Solid Satate Disk)

Samsung 2Gb 60nm chips

 

Samsung fue uno de los primeros o el primero en introducir memorias Nand Flash a 90nm en abril del 2004 y ahora nuevamente es el primero en introducir proceso de fabricación a 60nm.

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