fbpx
Memorias Ram Noticias

Samsung NAND Flash 2GB @ 60nm

 

Samsung anuncia sus chips de memoria One Nand Flash de 60nm y 2GB de capacidad, esta memoria tiene una velocidad de lectura sostenida de 108MB/s con una velocidad de escritura de 17MB/s.

Hace algún tiempo atrás, mas específicamente a inicios el mes de abril ya te habíamos informado respecto a que Samsung había anunciado la producción de Chips Nand Flash a 70nm, pero vemos que Samsung ha decidido aplicar proceso de manufactura a 60nm.

 

NAND Operating Speeds

 

NOR Flash

NAND Flash

70nm
OneNAND

60nm
OneNAND

Sustained Read

256MB/sec

27MB/sec

108MB/sec

108MB/sec

Sustained Write

0.5MB/sec

13MB/sec

9.3MB/sec

17MB/sec

 

Este salto es para mejorar aún mas la velocidad de escritura de estos chips, pues a 70nm estos tenían una velocidad de lectura de 9.3 MB/s y con el paso a los 60nm este valor se incrementa a los 17MB/s, en tanto que la velocidad de lectura se mantiene en los 108MB/s, la otra ventaja de pasar de los 60nm en desmedro de los 70nm es que la densidad de los chips también se incrementa, pues los chip fabricados a 70nm poseían una densidad máxima de 1GB, estos nuevos chips a 60nm alcanzan una densidad de datos de 2GB. Entre las aplicaciones de este tipo de memoria tenemos a los discos SSD (Solid Satate Disk)

Samsung 2Gb 60nm chips

 

Samsung fue uno de los primeros o el primero en introducir memorias Nand Flash a 90nm en abril del 2004 y ahora nuevamente es el primero en introducir proceso de fabricación a 60nm.

Posts relacionados

Kingston presenta el SSD KC2000 NVMe PCIe de última generación

Mario Rübke

Microsoft Edge para macOS basado en Chromium ya está disponible como Preview

Mario Rübke

Se levanta el veto de USA a Huawei por 90 días

Mario Rübke