Samsung desarrolla los primeros chips DDR3 de 30nm

Compártelo!

Mientras hoy se hizo el anuncio oficial de Intel y Micron con los primeros chips de memorias NAND-Flash de 25nm, Samsung Electronics no ha querido ser menos, pero en el campo de las memorias DRAM (memorias RAM) anunciando los primeros chips DDR3 de 2Gb (gigabits) fabricados con tecnología de proceso de 30nm.

Estos chips proporcionan menores consumos y menores costos de producción. Según Samsung estos chips mejoran la productividad en la fabricación en un 60% comparado con chips a 40nm, reducen a la mitad los costos de producción respectos a chips de 50/60nm y además reducen el consumo de energía hasta un 30% comparado con los 50nm.

Debido a sus menores costos de producción permitirá eventualmente poder rebajar los precios de los módulos DDR3 que se basen en estos chips, además de permitir mayores frecuencias y menores voltajes.

La producción en masa comenzará en la segunda mitad de este 2010 y su destino son modulos de memorias para servidores, sobremesa, notebooks y otros dispositivos y dispositivos móviles. Este desarrollo pone a Samsung por delante de otros fabricantes de chips de memorias DRAM del mercado.

[tcmagazine]

Nuevo sistema de valoración de comentarios
VLC media player v1.0.5 disponible