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Intel e IBM invierten US$4.400 millones en Centro de R&D para nanotecnología

IBM e Intel anunciaron que invertirán $4.400 millones de dólares para crear un centro de R&D para nanotecnología en Albany en el estado de New York. Estas dos compañías en conjunto con Samsung, Global Foundries y TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation) llevarán a cabo esta iniciativa.

Esta inversión de 5 años consta de dos fases, la primera en la que será liderada por IBM y sus socios, quienes con una inversión de US$3.600 millones de dólares se enfocaran en crear las próximas dos generaciones de chips para computadores, utilizando tecnología de 22nm y 14nm (nanómetros).

El estado de Nueva York también aportará $400 millones de dólares en el College of Nanoscale Science and Engineering, en Albania para apoyar a esta iniciativa.

La segunda etapa de este proyecto, es un esfuerzo conjunto entre Intel, IBM, TSMC, Global Foundries y Samsung, que se enfocaran en pasar de wafer de 300mm a wafer de 450mm. Esta nueva tecnología en cuanto a estas “obleas” de silicio (wafers) de donde se obtienen los chips, permitirá producir más del doble de lo que se puede producir actualmente con wafers o obleas de 300mm.

En lo económico, este proyecto espera crear más de 1900 puestos de trabajo en la construcción de este centro para R&D, 2500 nuevas posiciones relativas a puestos entre ingenieros, técnicos y  especialistas. Parte de este financiamiento será compartido también con las instalaciones de investigación en Canandaigua, Utica, East Fishkill, y Yorktown Height.

En un acuerdo por separado, Intel también ha acordado establecer algunas oficinas en la costa oeste de Albania para efectos de administrativos relativos a este proyecto que involucra a los principales compañías en la industria de los semiconductores.

[businessweek] vía [electronista]

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