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  • 24
  • Nov

Hynix desarrolla los chips GDDR5 más rápidos

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hynix_chip_gddr51 Hynix desarrolla los chips GDDR5 más rápidos
El fabricante coreano de chips de memorias Hynix Semiconductor, ha anunciado el desarrollo de los chips de memoria GDDR5 mas rápidos de la industria, con sus nuevos chips H5GQ1H24AFR DRAM de 1Gb (128MB) los que alcanzan una velocidad en datos de 7Gbps, superando por un 40% sus actuales chips GDDR5 en producción que alcanzan los 5Gbps, y de paso superando también al gigante Samsung que tenia el liderato con chips de 6Gbps. Estos chips están fabricados bajo proceso 54nm con un voltaje operativo de 1.35v y capaces de procesar 28GB/s en un sistema de 32bit I/O. La producción en masa comenzará la segunda mitad del 2009 y servirá principalmente para potenciar tarjetas gráficas de próxima generación (ATI/NVIDIA), entre otras aplicaciones como consolas de videojuegos. Digitimes

  • 20
  • Ago

IDF: Hynix muestra su modulo DDR3 de 16GB

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Tal como lo ha hecho Qimonda, el fabricante de chips de memorias Hynix, también ha mostrado lo suyo en la IDF, esta vez se trata de un modulo de memorias DDR3 R-DIMM de nada menos que 16GB, la mas alta capacidad que se ofrece hasta la fecha para un modulo de este tipo -hasta donde recuerdo-, claro que este modulo de memoria no esta destinado al mercado de consumo general específicamente, mas bien esta orientados al entorno de servidores, estaciones de trabajo y centro de datos que requieren alta densidad.

Este modulo se compone básicamente de dos módulos de 8GB que vienen unidos -como siameses- en un solo PCB (Printed Circuit board), y que son gestionados a nivel de intercomunicación por un chips con tecnología MetaRAM, estos no son otra cosa que controladores que se ubican entre ambos arreglos de chips de memoria para gestionar la comunicación entre ambos y tolerar la alta densidad.

hynix_16gb_ddr3_rdimmmetaram_01 IDF: Hynix muestra su modulo DDR3 de 16GB

Estos módulos HMT31GR7AER4C-GC (8GB) y HMT32GR7AER4C-GD (16GB) estarán disponibles para las empresas y ensambladores de sistemas en capacidad de 8 y 16GB y se podran combinar con dos o más modulos para incrementar la capacidad de memoria en rangos de 32, 48GB o mas, de hecho Intel demostro una plataforma server con 160GB de memoria mediante 10 slot para tal proposito. Precio y disponibilidad no fueron informados, pero considerenlo ALTO.

  • 24
  • Jul

Hynix cerraría su planta en Oregon (aunque podría venderla también)

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Debido a las actuales condiciones en el mercado de las memorias y los no buenos pronósticos respecto a su futuro, el fabricante coreano de chips de memorias Hynix Semiconductor, esta planeando cerrar su fabrica de memorias DRAM en Euge-Oregon (USA). Esta planta comenzó su producción en el año 1998 y podría terminar sus operacines en septiembre de este año, a lo cual Hynix ya estaría buscando alternativas de uso para dichas instalaciones, una opción por ejemplo seria venderla a un tercero o arrendar su línea de producción a otra compañía.

La fabrica de Oregon actualmente emplea a 1200 personas pero si Hynix vende su planta a otro fabricante de semiconductores es posible que dichas personas continúen trabajando en las instalaciones. Por el momento no esta claro el futuro de la planta pero su cierre parece inminente.

tcmagazine

  • 19
  • May

Hynix y Micron producirán tarjetas de memoria

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Hynix Semiconductor y Micron Technology son grandes conocidos en la producción en masa de chips de memorias, tanto Flash como chip para memorias RAM, sin embargo, hasta ahora estos fabricantes, solo se dedican a la producción de chips de memorias, que luego venden a otras compañías como Sandisk, Sony y otras compañías para que puedan integrar en sus productos, sin embargo, tanto Hynix Semiconductor como Micron Technology quieren extender su presencia mas haya del solo hecho de producir memorias RAM

Según las fuentes de la industria que menciona el sitio Digitimes, Hynix comenzara a ofrecer tarjetas de memoria terminadas y bajo su propia marca, esto comenzaría en el mes de mayo y seria la primera vez que la empresa coreana ofrecería un producto terminado mas haya del mero hecho de producir los chips de memoria.

Micron por su parte también espera poder ofrecer sus propias tarjetas de memoria en la segunda mitad de este 2008 como fecha más próxima. De esta forma tanto Hynix como Micron adoptarían similar estrategia que otros dos grande y conocidos de la industria de los chips de memorias, como los son Samsung Electronics y Toshiba, quienes además de producir chips de memoria, también ofrecen bajo su marca productos finales como las mencionadas tarjetas de memoria, que se venden para la electrónica de consumo digital, como cámaras fotográficas, reproductores MP3, etc.

Fuente: Digitimes

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Ya hemos informado que NVIDIA prepara una GeForce GTX 260 dual (hasta ahora GTX 260 GX2), la cual se basará en dos núcleos G200b (G200-103-B2) cada uno fabricado a 55nm en reemplazo del núcleo actual a 65nm (G200-103-A2) de las GeForce GTX 260. Según informan desde expreview, la GTX 260 dual será nombrada como GeForce GTX 295, poseerá 216 SP por núcleo (432 SP en total) y sería lanzada en enero del 2009 para competir directamente con la Radeon HD 4870 X2. Se desconocen por el momento detalles de frecuencias del núcleo, memorias, entre otros. [Expreview 1 y 2]

Las autoridades del estado de Nueva York, han aprobado un incentivo económico de $1.200 millones de dólares para AMD, esto para facilitar la instalación de fábricas de manufactura en Malta en el "Luther Forest Technology Campus", de estos, $650 millones son en efectivo. Esta construcción AMD la tiene programada desde el 2006 y creará más de 1.465 puestos de trabajo en la región y ayudara a incrementar la actividad económica y laboral, el costo total de la construcción involucra una inversión de $4.600 millones de dólares. Estos fondos serán traspasados y administrados por "The Foundry Company" la entidad creada entre AMD y ATIC. [dailygazette]

AMD ha comenzado la introducción en sus canales de venta, el procesador AMD Phenom X3 8450e (US$107) correspondiente a su familia de bajo consumo "energy-efficient", que reduce el TDP desde los 95W de los modelos normales a los 65W. El procesador tiene una frecuencia de 2.10Ghz (10.5x200Mhz), se basa en el núcleo Toliman a 65nm, posee 512KB cache L2 y 2MB cache L3 compartido, socket AM2+ con soporte HyperTransport 3.0 de 3600 MT/s. Más adelante la compañía lanzara otros modelos eficientes como el Phenom X3 8250e (1.9Ghz). [techpowerup]

Hitachi GST e Intel, han anunciado un acuerdo para el desarrollo de unidades SSD para el sector empresarial, estas a diferencia de los SSD de conexión SATA (Serial ATA), utilizarán en su lugar conexión SAS (Serial Attached SCSI) y Fibre Channel (FC) o Canal de Fibra para el almacenamiento en red en entornos de servidores, estaciones de trabajo y sistemas de almacenamiento. Estos SSD se basaran en tecnología NAND Flash de Intel con mejoras en el rendimiento de IOPS (Input/Output Operations Per Second) y serán comercializados por Hitachi GTS con el respectivo soporte técnico a inicios del 2010 con los beneficios de consumo y rendimiento asociado a estas unidades. [Intel]

Pioneer en un evento en Taipei, ha mostrado un disco Blu-Ray (BD) de solo lectura multi-capa que es capaz de almacenar 400GB de información, este disco cuenta con 16 capas separadas en un solo lado que almacenan en total 25GB cada una, utilizan un material reflectivo del tipo dieléctrico en lugar de material metálico de los discos actuales, el ancho de las pistas es de 10 y 14nm en comparación con los 25nm actuales, este disco además es compatible con las unidades de reproducción blu-ray actuales por lo que no hay problemas de compatibilidad. Pioneer también se encuentra desarrollando un disco blu-ray de 500GB de 20 capas y discos de 1TB para el 2013. [DVH]

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