Hace poco solamente se anunciaron las especificaciones finales para las memorias DDR4, ahora se anuncia que otra tecnología de memorias que pretende revolucionar el mercado comenzará a producirse masivamente a finales de 2013 por HP e Hynix, se trata de productos basados en la tecnología de memristores o ReRAM (Resistive RAM)… y que es producto del trabajo conjunto entre ambas compañías anunciado en octubre de 2010.
SK Hynix conocida previamente como Hynix Semiconductor Inc., el conocido fabricante sur coreano de memorias DRAM ha anunciado formalmente su entrada al mercado de las unidades SSD…, algo que ya habíamos adelantado previamente entre líneas en esta nota, sin embargo, Hynix hace oficial su entrada a este mercado con sus primeras unidades de estado sólido.
El mercado del almacenamiento Flash se mueve rápido, no hace mucho que les anunciábamos de las nuevas unidades SSD Neutron series de Corsair, que incorporaban un controlador fabricado por Link_A_Media Devices (LAMD), una empresa desconocida hasta ese entonces para nosotros. Pocos días han pasado y LAMD ya ha sido adquirida por SK Hynix -del grupo SK- conocida previamente como Hynix Semiconductor Inc…., el conocido fabricante sur coreano de memorias DRAM, otrora conocido también por sus memorias gráficas.
El próximo estándar en memorias DRAM poco a poco comienza a despegar y aunque por ahora todo son sólo prototipos o muestras de laboratorio, ya se comienzan a desarrollar los primeros módulos basados en tecnología DDR4. Este es el caso de Hynix que muestra sus primeros módulos DDR4…, específicamente módulos ECC-SODIMMs (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Modules) de 2GB, las cuales operan de serie a 2400Mhz.
Si ustedes nos llevan leyendo desde hace años recordarán que en abril de 2008 escribimos un articulo respecto al “memristor” o “memory resistor”, …tecnología impulsada por HP quien en ese entonces la anunciaba como una tecnología revolucionaría que podía cambiar la forma en la cual almacenábamos datos y la forma la que interactuamos con el computador, una tecnología inteligente que incluso podría darle al computador la capacidad de “recordar” emulando las funciones del cerebro humano, pero sin perdida de instancias o “recuerdos”, bueno eso en lo metafórico…
La empresa Sur Coreana Hynbix Semiconductor se pone a la par del gigante Samsung y se adelanta a otras como la japonesa Toshiba y Micron, esto al anunciar que ya ha comenzado la producción en masa de sus primeros chips de memorias NAND Flash de 64Gb (8GB) manufacturados en un avanzado proceso de tan solo 20nm.…
No ha pasado mucho tiempo desde que Intel y Micron anunciaron el desarrollo de chips de memoria NAND Flash de 25nm y 64-Gbit y sus rivales asiáticos en este mercado han respondido. Uno de ellos es el gigante Samsung que anunció la producción en masa de chips NAND Flash a 26nm para el mes de octubre, mientras que poco más tarde lo hará Hynix com chips fabricados a 27nm…. Con estos esperan mantenerse vigentes y competitivos en un mercado muy cotizado, sobre todo cuando estos chip se incorporan en unidades SSD que cada vez serán más demandados, tarjetas de
Hynix Semiconductor ha anunciado el desarrollo de los primeros chips de memoria GDDR5 de 2Gb DRAM basados en tecnología de fabricación de 40nm y destinados al mercado de las tarjetas gráficas. Los nuevos chips operan a 1.35v y consumen un 20% menos que los actuales chips fabricados a 50nm, lo interesantes de estos chips es que pueden alcanzar 7Gbps lo que se traduce en una impresionante frecuencia de 7000Mhz. (7.0Ghz OMG…). Se espera que estos chips entren en producción en masa en la segunda mitad del 2010. ATI y NVIDIA los integrarían en sus futuras tarjetas gráficas.
El fabricante coreano de chips de memorias Hynix Semiconductor, ha anunciado el desarrollo de los chips de memoria GDDR5 mas rápidos de la industria, con sus nuevos chips H5GQ1H24AFR DRAM de 1Gb (128MB) los que alcanzan una velocidad en datos de 7Gbps…, superando por un 40% sus actuales chips GDDR5 en producción que alcanzan los 5Gbps, y de paso superando también al gigante Samsung que tenia el liderato con chips de 6Gbps. Estos chips están fabricados bajo proceso 54nm con un voltaje operativo de 1.35v y capaces de procesar 28GB/s en un sistema de 32bit I/O. La producción en
Tal como lo ha hecho Qimonda, el fabricante de chips de memorias Hynix, también ha mostrado lo suyo en la IDF, esta vez se trata de un modulo de memorias DDR3 R-DIMM de nada menos que 16GB, la mas alta capacidad que se ofrece hasta la fecha para un modulo de este tipo -hasta donde recuerdo-, claro que este modulo de memoria no esta destinado al mercado de consumo general específicamente, mas bien esta orientados al entorno de servidores, estaciones de trabajo y centro de datos que requieren alta densidad.
Este modulo se compone básicamente de dos módulos de 8GB…
Debido a las actuales condiciones en el mercado de las memorias y los no buenos pronósticos respecto a su futuro, el fabricante coreano de chips de memorias Hynix Semiconductor, esta planeando cerrar su fabrica de memorias DRAM en Euge-Oregon (USA). Esta planta comenzó su producción en el año 1998 y podría terminar sus operacines en septiembre de este año, a lo cual Hynix ya estaría buscando alternativas de uso para dichas instalaciones, una opción por ejemplo seria venderla a un tercero o arrendar su línea de producción a otra compañía.
La fabrica de Oregon actualmente emplea a 1200 personas pero…
Hynix Semiconductor y Micron Technology son grandes conocidos en la producción en masa de chips de memorias, tanto Flash como chip para memorias RAM, sin embargo, hasta ahora estos fabricantes, solo se dedican a la producción de chips de memorias, que luego venden a otras compañías como Sandisk, Sony y otras compañías para que puedan integrar en sus productos, sin embargo, tanto Hynix Semiconductor como Micron Technology quieren extender su presencia mas haya del solo hecho de producir memorias RAM
Según las fuentes de la industria que menciona el sitio Digitimes, Hynix comenzara a ofrecer tarjetas de memoria terminadas y…
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