En el país del sol naciente científicos han logrado una nueva técnica para mejorar la vida útil de las memorias flash desde los actuales 10.000 ciclos de lectura/escritura hasta unos 100.000.000. Esta nueva tecnología fierroeléctrica NAND entre otros beneficios incluye la posibilidad de ser escalado hasta 10nm, lo cual es 1/3 del tamaño que prometen las memorias flash convencionales de la próxima generación. Aparte de eso encontramos un sistema de "uso nivelado", el cual iguala el uso de las células de memoria para que unas no se desgasten antes que otras y que puede deshabilitar las células defectuosas para que no tenga que morir toda la memoria en caso de falla y usa 6V versus los mas de 20 que usan las memorias normales para operaciones de escritura/lectura.
Fuente: Gizmodo.com