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Tal como ya lo han hecho otras compañías, como el conglomerado encabezado por IBM que a finales del 2007 anuncio el desarrollo de tecnologías a nivel de transistores de 32nm, mas tecnología de “high-k/gate-first” que es como denomino IBM a su tecnología tendiente a reemplazar a la tecnología SOI (Silicon On Insulator) presente por años en microprocesadores y procesadores.

Ahora ha tocado el turno de pronunciarse a uno de los fabricantes de semiconductores mas importantes de Asia, se trata de TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.), quien ha dado mas detalles respecto a su desarrollo de tecnologías de 32nm, con la introducción de técnicas de high-k y metal-gate en sus nodos productivos.

La última semana el Presidente y CEO de TSMC, Rick Tsai, comento escuetamente “Nosotros Tendremos high-k y metal-gate en los 32-nm” durante su Keynote en el Simposio de Tecnologías 2008 (2008 Technology Symposium) desarrollado en Taiwan. En este mismo contexto TSMC dijo también en voz de su Vicepresidente de Investigación y Desarrollo, Jack Sun, que la compañía ofrecerá varias opciones incluyendo la tercera generación de su tecnología “triple-gate oxide” para procesos de 32nm de bajo consumo y “high-k y metal-gate” para procesos de 32nm de alto rendimiento.