• 20
  • Ago

IDF: Hynix muestra su modulo DDR3 de 16GB

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Almacenamiento, Memorias Ram

Tal como lo ha hecho Qimonda, el fabricante de chips de memorias Hynix, también ha mostrado lo suyo en la IDF, esta vez se trata de un modulo de memorias DDR3 R-DIMM de nada menos que 16GB, la mas alta capacidad que se ofrece hasta la fecha para un modulo de este tipo -hasta donde recuerdo-, claro que este modulo de memoria no esta destinado al mercado de consumo general específicamente, mas bien esta orientados al entorno de servidores, estaciones de trabajo y centro de datos que requieren alta densidad.

Este modulo se compone básicamente de dos módulos de 8GB que vienen unidos -como siameses- en un solo PCB (Printed Circuit board), y que son gestionados a nivel de intercomunicación por un chips con tecnología MetaRAM, estos no son otra cosa que controladores que se ubican entre ambos arreglos de chips de memoria para gestionar la comunicación entre ambos y tolerar la alta densidad.

hynix_16gb_ddr3_rdimmmetaram_01 IDF: Hynix muestra su modulo DDR3 de 16GB

Estos módulos HMT31GR7AER4C-GC (8GB) y HMT32GR7AER4C-GD (16GB) estarán disponibles para las empresas y ensambladores de sistemas en capacidad de 8 y 16GB y se podran combinar con dos o más modulos para incrementar la capacidad de memoria en rangos de 32, 48GB o mas, de hecho Intel demostro una plataforma server con 160GB de memoria mediante 10 slot para tal proposito. Precio y disponibilidad no fueron informados, pero considerenlo ALTO.

  • 20
  • Ago

IDF: Qimonda dice DDR4 en el 2012-2013

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Almacenamiento, Memorias Ram

El fabricante de chips de memorias Qimonda, ha aprovechado la IDF para hablar sobre el próximo estándar de memorias RAM, según la compañía, comenzara a comercializar memorias DDR4 con una velocidad de 2300Mhz a partir del año 2013, lo que puede marcar un punto medio -según los plazos de los otros fabricantes- para la introducción de este tipo de memorias en el mercado.

Qimonda utilizara para la fabricación de estos chips, un proceso de manufactura de 30nm, con un voltaje de solo 1.2v (comparados con los 1.5v de las DDR3) y los primeros modelos vendrán en el 2012 con frecuencias de trabajo bases de 2.133 y 2.667Mhz, y módulos mas veloces de 2300Mhz en el año 2013. Recordemos que actualmente las memorias DDR3 alcanzan velocidades máximas de trabajo sobre los 2000Mhz, aunque mediante overclock.

Por ahora el mercado sin duda se centrara en el estándar actual DDR3, en donde ya tenemos una variada oferta de memorias para equipos de escritorio y con una cada vez mas incipiente oferta DDR3 para los equipos portátiles (notebooks), la compañía también trabaja para rebajar el voltaje de las memorias DDR3 de 1.5v a 1.35v, algo que ya habíamos mencionado anteriormente en virtud del anuncio de Elpidia.

Inq

  • 20
  • Ago

IDF: Nuevos SSD Intel para los ricos y famosos

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Almacenamiento

Hoy Intel anunció sus nuevas unidades de disco de estado sólido (esos famosos discos SSD que venimos escuchando hace rato y que recién están empezando a tener precios lejanamente humanos): Tanto para los segmentos Extreme (multidulpitrulpimillonarios en español) como Mainstream (millonarios a secas) habrá unidades; en Mainstream se anunciaron modelos de 2.5″ y 1.8″ y en Extreme sólo de 1.8″. Aunque se mencionó que se espera disponibilidad de productos comerciales a fin de año, la palabra precio brilló por su ausencia. Lo esperable es que a más competidores en el juego, los precios bajen. Para los specófilos, el modelo X-25E (con E de Extremadamente Caro) se podrá comprar tanto de 32GB como de 64GB, y los modelos X-18M y X25-M tendrán encarnaciones de 80GB y 160GB. En cuanto a velocidades, todos tendrán lectura máxima de 250MB/s y los Extreme tendrán escritura a 170MB/s vs los corrientes a 70MB/s. En la nota de prensa oficial se menciona que estos aparatillos lograrían extender la vida de tu batería hasta en 30 minutos. Ni idea en que condiciones ni que batería, pero bueno, estamos en IDF, la markitectura en su máxima expresión.

A mi tanto interés de Intel en este juego me suena a que Centrino 4 o 5 (o como se llame, por ahi se escuchaban rumores de que no seguirán con la marca Centrino) incluirá dentro de su ecosistema una unidad de disco. ¿A ustedes no?

dsc01874-275x183 IDF: Nuevos SSD Intel para los ricos y famosos

  • 18
  • Ago

Se viene SATA 3 con el doble de velocidad

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Almacenamiento, Periféricos

Tal como ya se trabaja en el futuro de las interfaces de conexión USB, con USB 3.0 impulsado por Intel y otros fabricantes, y la IEEE (The Institute of Electrical and Electronics Engineers) que también prepara lo suyo para el futuro del puerto Firewire o IEEE 1394, hay una interfaz de conexión que ya lleva bastante tiempo con nosotros y dos actualizaciones en sus circuitos y protocolos de transferencia, se trata del puerto de conexión para dispositivos de almacenamiento SATA (Serial ATA) que ha visto dos revisiones SATA1 (1.5Gbps) y SATA2 (3.0Gbps), las cuales han incrementado las velocidades del estándar anterior ATA o PATA, pero ya se trabaja en el futuro.

Es así que la organización a cargo del estándar, la Serial ATA International Organization (SATA-IO) también prepara una actualización con la Revisión SATA 3.0, esta nueva especificación pretende de partida, doblar la velocidad de transferencia máxima teórica desde los 3.0Gbps (SATA2), hasta los 6.0Gbps (SATA3), pero esto no es lo único ya que también se mejorara la administración de energía y se mantendrá la retro-compatibilidad con los estándares actuales.

Fabricantes como manufacturadores de placas madres, controladores para discos duros y los propios fabricantes de discos duros ya están trabajando con el estándar, aunque por ahora están en fase de definir las especificaciones finales, para posteriormente comenzar a implementar la tecnología en sus productos, se espera que las especificaciones estén terminadas a finales de año.

tcmagazine & sata-io.org

  • 12
  • Ago

Intel anunciara discos SSD de alta velocidad

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Almacenamiento

Ya anuncio sus primeras unidades en el 2007, ahora Intel en su próxima IDF que comienza la próxima semana, anunciara una nueva familia de discos SSD de alta velocidad, de hecho serán los discos que ofrezcan la velocidad de lectura y escritura mas altas a la fecha 240/170MB/s versus los 250/100MB/s que ofrece Micron.

Así Intel mostrara su nueva familia de discos SSD con tres modelos, el primero de estos, es el X25-E el cual tendrá una velocidad de escritura y lectura de 240/170MB/s respectivamente, esta unidad tendrá conexión SATA2 y un factor de forma de 2.5″. La segunda unidad es el X25-M y X18-M, el primero de 2.5″ y el segundo con un tamaño de 1.8″, ambos discos soportaran una velocidad de lectura de 240MB/s, pero su velocidad de escritura se reduce hasta los 70MB/s.

intel_ssd_3.jpg

Estos discos vendrán en tamaños de 32, 64, 80 y 160GB, con un consumo de 2.4W para el modelo X25-E bajo carga y 0.06w en estado de reposo, por su parte el modelo X25-M y X18-M tendrá un consumo de 0.25w en modo de operación y 0.06 en estado de reposo.

Fudzilla y expreview

  • 5
  • Ago

Micron Anuncia SSD de próxima generación

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Almacenamiento

El fabricante de chips de chips de memorias, Micron, ha anunciado sus nuevos discos SSD (Solid State Disk), P200 y C200 series, destinados al mercado empresarial y de consumo respectivamente, estos discos SSD no son unos mas de montón, puesto que Micron ha dotado a estos discos con chips de memorias SLC (Single Layer Cell) de alta velocidad, lo que le da velocidades de lectura y escritura que superan a cualquier modelo existente, con 250MB/s y 100MB/s respectivamente.

micron_ssd-160x100 Micron Anuncia SSD de próxima generación

Los discos vienen en un factor de forma de 2.5” y 1.8” con interfaz SATA2 con capacidades de 256GB y 128GB respectivamente. Ambos discos esperan ser lanzados en el Q4 de este año, aunque su precio será seguramente elevado debido al tipo de chips de memorias que usan y a sus prestaciones.

techpowerup

  • 2
  • Ago

Hitachi avanza en grabación perpendicular

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Almacenamiento

La compañía japonesa Hitachi con oficinas centrales en Tokyo, pionera en el método de tecnología de grabación magnética perpendicular (PMR),  ha mostrado sus últimos avances al respecto, ya que los ingenieros de Hitachi han logrado un nuevo record de almacenamiento por pulgada cuadrada, el cual ha alcanzado los 610Gbits (Gbit/in2), acercándose cada vez mas al limite teórico que puede permitir esta tecnología, que según los datos son de hasta 1Terabit por pulgada cuadrada, aunque aun queda un buen trecho que explotar y por ende mas capacidades de grabación por disco que conseguir.

Los anteriores logros en este sentido habían sido de 230Gbits/por pulgada cuadrada en el 205, 345Gbit/por pulgada cuadrada en el 2006, 421 Gbits en el 2007 y ahora Hitachi consigue estos 610Gbits, lo que permitirá un incremento en la capacidad de almacenamiento para sus futuros productos y capacidades prometidas que llegan hasta los 4TB, según ha prometido Hitachi.

Hitachi denomina a su tecnología CPP-GMR (Current Perpendicular-to-the-Plane Giant Magneto-Resistive Heads), la cual reduce el tamaño de los cabezales hasta 30-50nm, un tamaño 2.000 veces menor que el grosor de un cabello y que proporciona ventajas como la mayor capacidad, menor tamaño y mejor eficiencia en consumo.

physorg

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